Produksjonen av integrerte kretser ( IC ) krever store mengder av menneskelig og økonomisk kapital og er i stadig utvikling , men noen grunnleggende trinnene er fremtredende. Kretsene er bygget på rene silisiumskiver , så en nøkkel til IC produksjon er den første fabrikasjon av store wafere som flere kretser kan bygges . Photolithography vil bli brukt til å bygge hundrevis av kretser på hver wafer og deretter disse kretser vil bli separert . Instruksjoner
Silicon Wafer Produksjon
en

produsere ren silisium ved å dyrke et stort silisium krystall. Varm en stor tønne av silisium til en høy temperatur på omtrent 1400 grader Celsius i en digel , så sakte å trekke ut en enkelt stor ren krystall , typisk 200 mm i diameter fra midten av den roterende vat . Avkjøl dette store sylindriske krystall, deretter forsiktig skjære den i tynne skiver mindre enn én mm tykk. Overflaten wafer flat til presise toleranser . Behandle hver wafer med silisium oksid , som fungerer som et isolerende agent.
2

Start det første trinnet av photolithography av skinnende en ultrafiolett ( UV) lys gjennom en maske matchende krets diagram på hvert lag på wafer . Dekk hele skiven med et beskyttende belegg, som også er følsomme for UV-lys. Utfør denne prosessen i et rent rom hvor alt støv er fjernet med luft renere enn på et sykehusrom.
3

Bygg det første laget av kretsen av skinnende UV-lyset gjennom første maske som er lagt på toppen av den belagte chip. Masken mønsteret gjør noe lys å falle på chip, nedverdigende det bare i de områdene skissert av masken . Utvikle brikken , som fjerner de nedbrutte malte flater og etterlater et mønster på brikken.
4

Etch brikken med kjemikalier. I denne prosessen isolerende silisium oksid lag fjernes uansett hvor masken mønster utpekt , forlater eksponert rent silisium i en blåkopi -type mønster .
5

Treat den eksponerte ren silisium lag via en prosess som kalles " doping " som legger ørsmå mengder av elementer som fosfor og bor, som gjør det mulig for silisium for å bli brukt som en veksling middel .

6. Gjenta trinn 2 til 5 i denne seksjon som er nødvendig for å fullføre kretsen lagdeling prosess . Flere lag med silisium oksid , bør gjennomføre og isolere materialet legges til som nødvendig .
Legge Ledninger og emballasje
7

Legg koble ledninger til brikken. Deponere en ledende metall som kobber jevnt over chip .
8

Sett et lag av UV -sensitive fotoresist over chip , som dekker metall laget . Deretter legger en maske etter mønster av den ønskede ledning krets over chip og strålebehandling brikken med UV-lys. Fjern de områder av fotoresist ikke beskyttet mot UV av masken .
9

Fjern metalldekselet ikke beskyttet av fotoresist etter en ny runde med etsing. Ledningene er nå dannet. Flere lag med ledninger kan legges om nødvendig ved å gjenta prosessen .
10

Test de enkelte chips på wafer og del dem med en presis sag. Legg en beskyttende kappe til hver brikke , og teste hver brikke igjen for kvalitet.