tri - gate transistor-teknologi benytter en 3 -D struktur i transistor design der portene er plassert på alle tre sider av silisium substrat i motsetning til bare én . Dette har fordelen av å kontrollere lekkasje når transistorene er i av-tilstanden og øke strømmen av drivstrømmen . Kombinasjonen av tri - gate transistor -teknologi med andre eksisterende teknologier, som bruk av anstrengt silisium og high- k gate dielektrika , betyr at fortsatt bedring i denne teknologien har pågått siden starten. Noen begrensninger imidlertid eksistere i bruken av tri- port transistor-teknologi . Velocity metning

Velocity metning oppstår når en maksimal verdi er nådd der noen økning i spenningen ikke resultere i en lineær økning i strøm , og dermed går mot Ohms lov . Denne virkning blir mer fremtredende som transistorer blir mindre , som i tilfelle av tri- port transistorer. Denne effekten kan forklares ved hjelp av følgende formel : en

V = u E ( E er små nok)

V = VSAT (E er sterk nok)
p Som VGS øker , drenerings dagens mettet godt før pinch- off oppstår .
sub - Threshold swing

sub - terskel swing er porten spenning kreves for å endre , ved en magnitude , avløp strøm. Som transistorer blir mindre , synker gate lengde likeledes og senere dette resulterer i en økning i sub-terskel sving . Enhver økning i spenning bruk resultater i kraft svinn , som er utgitt i form av varme.
DIBL

Drain Induced Barrier Senk ( DIBL ) er hvor terskelen spenninger reduseres ved høyt strømforbruk spenninger. Ettersom kanalen lengde er redusert i størrelse, bommen senkes øker. Denne effekten forblir i drift selv der hvor det ikke er noen anvendelse av en omvendt forspenningsstrømmen . Med økt 3 -D dimensjoner i tri - gate transistorer , blir DIBL et problem som tar hensyn til dette nye designet ved skalering .
Punch Gjennom
p Dette er en ekstrem tilfelle der avløpet og kilde regioner fusjonere for å danne en enkelt uttømming regionen. Når dette skjer, er porten feltet avhengig av drain -source spenning . Denne effekten fører til økt strømforbruk som drain -source spenningen øker , og dermed begrense den maksimale driftsspenning .
Hastighetsbegrensninger

på nanonivå , er den faktiske hastigheten påvirkes av RC tid konstant og carrier mobilitet. Bruk av high- k dielektrika betyr at høyere polarisering vil oppleves . I sin tur skaper dette fononenergier vibrasjoner som forstyrrer elektron mobilitet , og dermed resulterer i redusert ytelse.