etsing i halvledere er prosessen med å fjerne uønsket materiale fra overflaten. Denne prosessen er mye brukt i utviklingen av halvleder - baserte kretskort ( PCB) og kort av forskjellige elektroniske enheter . Videre er denne prosess også benyttes til å bringe visse fysiske og kjemiske endringer i halvledende materialer , slik at de kommer i drift på ønskede temperaturer og spenninger . Semiconductor etsing på industrielt nivå er utført av tre forskjellige metoder , som er plasma, våt og orientering -avhengige etsing. Plasma etsning

Plasma etsning innebærer fordype halvledende styrer /wafere til en reaktiv tilstand av fluor eller klor gass . Denne reaktive tilstand av disse gassene er referert til som plasmatilstanden , som oppnås ved innføring av konsentrert elektromagnetiske bølger på de respektive gassformige tilstander . Plasma etsning gir effektiv duplisering av plasma partikler over overflaten av halvledere wafere , som igjen endrer sine fysiske og kjemiske egenskaper . Hele denne prosessen er utført ved normal romtemperatur gjennom spesialisert utstyr som kalles plasma etchers .
Wet Etsning

Wet etsing innebærer utnyttelse av reaktive flytende kjemikalier å etse overflaten av halvledende materialer. Den anvender eliminering av uønsket materiale fra overflaten i en selektiv eller kontrollert måte , noe som gjør fremgangsmåten etsning for å bli gjennomført i en mønstret måte. Våt etsing på halvledende chips gjøres vanligvis buffret flussyre eller ammoniumfluorid , som begge er isotrop og kohesivt -reagerende forbindelser. Videre produserer denne typen etsning en betydelig mengde giftig avfall i løpet av prosessen ; . , Og på grunn av dette , er det ikke brukes i etsing av komplekse halvledende chips og wafere
Orientering -avhengige etsning

Orientering -avhengige etsning er en type våt etsning som er utført i en anisotropt måte. Betegnelsen " anisotrop " refererer til de kjemiske egenskaper av variasjoner og brå endringer innenfor substans karakteristikker. Av denne grunn opptrer orientering -avhengig etsing prosessen med eliminering materiale på en ujevn måte av halvlederelementer overflater. Denne type etsing kalles også anisotropt våt etsing, og er vanligvis gjort gjennom forbindelser som kaliumhydroksid , tetrametylammoniumhydroksid og ethylenediamine Pyrocatechol .
Betydning

Ulike typer og metoder av etsing gir betydelige transformasjoner innenfor visse fysiske og kjemiske egenskaper av halvledende materialer. For eksempel er etsning kjent for å produsere betydelige endringer i farge , vekt, volum , fysiske tilstander og varmemotstand nivåer av halvledende materialer. Disse transformasjoner og endringer hjelpe halvledere å øke ledningsevnen nivåer for ønskede elektriske ladninger i diverse elektroniske enheter og utstyr.